IAUC45N04S6N070HATMA1-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.9mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款NN溝道場效應管（MOSFET）采用雙N溝道設計，單管漏源耐壓（VDSS）為40V，可持續通過漏極電流（ID）達40A，導通電阻（RDON）低至6.9毫歐。該器件適用于高密度電源轉換系統，如高效DC-DC變換器、同步整流模塊及電池管理系統，具備優良的熱穩定性和低開關損耗特性，可滿足高性能電子設備對功率處理能力與能效轉換的嚴格要求。
