NTMFD5C466NT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.9mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為NN溝道場效應管（MOSFET），具備40A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中高功率應用場景。導通電阻（RDON）低至6.9mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統效率。器件采用雙溝道結構設計，集成度高，在電源管理、負載開關、電機控制及同步整流等場景中表現出良好的電氣性能與穩定性。適用于各類高效能電子設備中的功率轉換與控制電路。
