IPT015N10N5-HXY_TOLL_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流ID:350A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能表現，適用于高電流、高效率場景。其漏極電流ID可達350A，漏源電壓VDSS為100V，導通電阻RDON低至1.4mΩ，能夠在高頻開關條件下保持較低的導通損耗與發熱。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于電源轉換、儲能系統、智能電網設備及高性能計算硬件等領域的核心電路設計，為復雜工況下的電力控制提供堅實支持。
