NVTR4503NT1G-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:86mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流（ID）為2A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDON）低至86mΩ。該器件適用于需要高效開關和功率控制的多種場景，例如電源管理、電池供電設備以及小型電子系統中的直流電機或負載驅動電路。其低導通電阻有助于降低功耗并提升整體能效。
