FDD5612-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為27毫歐，展現出優異的導電性能與較低的功率損耗。器件適用于多種中高功率應用場景，如電源適配器、充電設備、直流變換器及智能家電中的開關電路設計，為系統提供高效、穩定的電流控制能力。
