SMIRF20N65T2TL-HXY_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:380mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為380mΩ，適用于高電壓與較大功率環境下的開關控制。其較高的耐壓能力與良好的電流承載特性，可廣泛用于電源轉換、高頻電路、電機驅動以及各類中高功率電子系統中，滿足多樣化電路設計對穩定性和效率的需求。
