SI4932DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用NN溝道設計，具備良好的導通性能與高效的電流控制能力。其最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，確保在中功率應用場景中的穩定性與可靠性。導通電阻RDON低至12mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件適用于電源管理、開關電路、負載控制及便攜式設備中的高效能需求場景，提供緊湊且高效的解決方案。
