IPD50P04P4-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備較高的電流承載能力和良好的導通特性，適用于多種電源管理及控制電路。其主要參數包括：漏極電流ID為50A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至10毫歐，有助于減少能量損耗并提升整體效率。該器件常用于高側開關、電池供電設備、智能家電以及各類便攜式電子產品中，為電路提供穩定、高效的性能支持。
