SVD5867NLT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能和穩定性，適用于多種高效能場景。其主要參數包括：漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至27毫歐。低導通電阻有效降低功率損耗并提升系統效率，適合高頻率開關應用。廣泛用于電源管理、電機驅動、消費類電子及智能設備中，為電路設計提供可靠性和高性能支持。
