FDD6690S-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為50A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至7.5mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的各類場景，能夠提供穩定可靠的電氣性能。憑借其低導通電阻和良好的熱穩定性，該MOSFET可廣泛用于電源管理、開關電路以及各類電子設備中，滿足多種設計需求。
