SI3401A-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備4.2A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為45毫歐，能夠有效減少功率損耗并提升轉換效率。器件采用成熟穩定的封裝工藝，適用于多種中低功率應用場景，如電池供電設備、智能家電、通信模塊及電源管理系統，為電路提供可靠的開關控制性能。
