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FDS6990S-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:8.5A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:17mR 參數4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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本款場效應管(MOSFET)采用NN溝道設計,具備良好的導通性能與高效的電流控制能力。其漏極電流ID可達8.5A,漏源電壓VDSS為30V,適用于中功率電源管理及轉換應用。導通電阻RDON低至17mΩ,有助于降低工作損耗,提高系統效率。該器件適用于各類通用電源、負載開關、適配器及充電設備中的高頻開關電路,提供穩定可靠的電氣性能,滿足多樣化電子產品的設計需求。

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