FDS6614A-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:8.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有較高的電流承載能力和優異的導通特性。其漏極電流ID為8.5A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中低功率電源轉換與控制電路。導通電阻RDON低至14毫歐，可顯著減少導通損耗，提高系統整體效率。器件采用標準封裝形式，具備良好的散熱性能與可靠性，適用于消費類電子產品、智能家居設備、通信模塊及高效DC-DC轉換器等多種應用場景，滿足對高性能功率器件的設計需求。
