C2M0280120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:7A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:320mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅N溝道場效應管（MOSFET）具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持7A連續漏極電流（ID），導通電阻為320mΩ（RDON），展現出優異的高壓與高頻工作性能。憑借碳化硅材料特性，該器件在高溫、高頻率環境下仍能保持穩定運行，適用于電源轉換、無線充電、光伏逆變等高效率電路系統。其高耐壓能力和良好的導電性能，使其成為高性能電力電子裝置的理想選擇。
