DMT10H025SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具有100V漏源電壓（VDSS）和40A連續漏極電流（ID）能力，適用于多種中高功率電路設計。導通電阻（RDON）低至20mΩ，有效降低導通損耗，提升系統能效。器件結構穩定，具備良好的熱管理和可靠性表現，適合用于電源開關、電機控制、LED驅動及家用智能設備等多種應用場景，滿足對性能與耐用性有較高要求的電路需求。
