NTMFS5C670NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有良好的電性能和穩定性，漏源電壓VDSS為60V，最大連續漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON典型值為5.3mΩ。該器件適用于多種中高功率電源管理與轉換應用，如開關電源、電池充放電控制及直流變換器等電路。憑借較低的導通損耗和優異的熱穩定性，該MOSFET可有效提升系統效率與可靠性，適合用于對性能和能效有較高要求的電子設備中。
