DMN2020LSN-7-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6.5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于中功率電源管理及高效開關應用。其主要參數包括：最大漏極電流ID為6.5A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON低至14mΩ，可有效降低導通損耗并提升系統效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于各類消費類電子設備中的DC-DC轉換、負載開關及電機驅動電路中。
