IRFR3910TRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的最大漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種中高功率電路設計。導通電阻（RDON）低至80mΩ，有效降低功率損耗，提高系統效率。器件結構穩定，具備良好的熱性能與可靠性，廣泛用于電源管理、開關電路、電機控制及LED照明等通用電子設備中，為各類應用提供高效、可靠的解決方案。
