FQD19N10TM-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A連續漏極電流（ID）和100V漏源耐壓（VDSS），滿足中高功率應用需求。導通電阻（RDON）典型值為80mΩ，有助于減少導通損耗，提高整體能效。器件采用通用封裝形式，具備良好的散熱性能與可靠性，適用于電源轉換、開關控制、電機驅動及照明設備等多種電子系統，為電路設計提供高效且穩定的技術支持。
