AO4576_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5mΩ的導通電阻（RDON），可持續通過最高18A的漏極電流（ID）。器件采用高密度溝槽工藝，具備優異的導通性能與熱穩定性，適用于高效率電源轉換、同步整流、電池充放電管理及負載開關等應用。其低導通電阻顯著降低功率損耗，提升系統整體能效，適合用于高性能電子設備中的功率控制模塊。
