AO3413_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:48mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS）和4.2A的連續漏極電流（ID），導通電阻為48mΩ，適用于低電壓開關與電源控制場合。柵源電壓范圍為±12V，具備良好的柵極驅動兼容性。相較于N溝道器件，P溝道結構在高端開關應用中可簡化驅動設計。其較低的RDSON有助于減少導通損耗，提升能效。常用于電池供電設備的電源管理、便攜式電子產品中的負載開關、DC-DC轉換電路及電壓反接保護電路，為低壓直流系統提供可靠的開關控制方案。
