SC160N120T8L-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有良好的高壓耐受與導通性能。其額定漏極電流ID為19A，導通電阻RDON為160mΩ，能夠在高電壓環境下實現較低的導通損耗。碳化硅材料的使用提升了器件的熱穩定性與能效表現，適合對功率密度和轉換效率有較高要求的應用場景。該MOSFET可廣泛應用于高效電源系統、智能能源管理、精密電子設備及高性能電力轉換裝置中，為電路設計提供穩定的技術支持。
