SC013N120TCL-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:165A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）采用N溝道結構，具備高電流承載能力，最大連續漏極電流（ID）可達165A，漏源擊穿電壓（VDSS）為1200V，確保在高壓環境下穩定工作。導通電阻（RDON）低至13mΩ，有效降低導通損耗，提高系統效率。器件基于碳化硅材料打造，具備優異的熱穩定性和開關性能，適用于高頻率、高效率電力轉換場景，如電源模塊、儲能系統及智能電網中的功率調節裝置。
