FDD6670S-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具備30V漏源電壓（VDSS）和60A連續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率開關應用。其導通電阻為7mΩ（RDON），在同類器件中具有較低的導通損耗，有助于提升能效并減少散熱需求。該MOSFET適用于直流-直流電源轉換、高效率電壓調節模塊、電池供電系統中的功率開關，以及需要快速開關響應的同步整流電路。憑借其高電流承載能力和穩定電氣特性，可廣泛用于各類電子設備的功率管理單元。
