NTMFS5C646NLT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.7mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。其低RDON特性使其在大電流開關應用中表現出色，適用于需要高效能電源管理的設備。該器件適合用于直流-直流轉換、高密度電源模塊以及電池供電系統中的功率控制，能夠滿足對能效和散熱性能有較高要求的電路設計需求。
