IPD70N10S3-12-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:8.2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V的漏源電壓（VDSS）和70A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至8.2mΩ，在高電流開關應用中可有效減少傳導損耗。其低RDON特性有助于提升系統效率，降低溫升，適用于對功率密度和能效要求較高的場合。器件采用標準封裝，便于集成于各類電源管理電路中，廣泛用于直流-直流轉換、電機驅動控制及高密度電源模塊等場景，是實現高效開關操作的典型選擇。
