TK35N65W5,S1F_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:43A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有650V的漏源額定電壓（VDSS），可支持高電壓工作環境，適用于主電路開關應用。其最大連續漏極電流（ID）為43A，導通電阻（RDON）為75mΩ，在同類器件中具備較好的導通性能，有助于減少功率損耗并提升能效。器件結合高電壓耐受能力與較低的導通電阻，適用于開關電源、逆變裝置、電機驅動電路及高效率DC-AC轉換系統等場景，適合對熱穩定性和功率密度有一定要求的電力電子設計。
