HNXPSC10650B6J_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款碳化硅二極管具備10A的正向電流能力（IF），同時支持最大650V的反向電壓（VR）。其正向電壓（VF）為1.3V，有助于減少能量損耗。該二極管在反向偏置時，反向漏電流（IR）控制在50微安以內，體現了出色的絕緣性能。其峰值正向浪涌電流（IFSM）可達80A，適用于要求嚴苛的高頻開關與電源轉換應用中，提供穩定且高效的性能表現。
