MTD3055V_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
MTD3055V 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，具有出色的散熱性能和空間利用率。在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可承載高達20A的連續漏極電流(ID)，適用于高功率、大電流應用場景。其導通電阻僅為27mΩ，有助于提升系統整體能效并減少功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等領域，是實現高效、節能電子設備設計的理想半導體組件。
