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  • JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

    JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

    在功率電子領域，高壓柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了電機驅動、電源轉換等系統的可靠性與效率。一直以來，IRS21867 作為經典的 4A700V 高低側驅動芯片，廣泛應用于工業與家電場景，但國產替代需求的日益增長，也推動著本土半導體企業推出更具競爭力的產品。 杰盛微半導體（JSMSEMI）研發的JSM21867STR，正是一款對標 IRS21867 的集成 BSD 單相高低側同相柵極驅動芯片。它不僅在封裝、核心參數上與 IRS21867 高度兼容，更在保護機制、電氣特性與設計適配性上實現優化，為工程師提供了高性價比的國產替代新選擇。今天，我們就從參數對比、性能優勢、設計指南與應用場景四個維度，全面解析這款 “國產強芯”。
  • JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

    JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

    在功率電子領域，高壓柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了電機驅動、電源轉換等系統的可靠性與效率。一直以來，IRS21867 作為經典的 4A700V 高低側驅動芯片，廣泛應用于工業與家電場景，但國產替代需求的日益增長，也推動著本土半導體企業推出更具競爭力的產品。 杰盛微半導體（JSMSEMI）研發的JSM21867STR，正是一款對標 IRS21867 的集成 BSD 單相高低側同相柵極驅動芯片。它不僅在封裝、核心參數上與 IRS21867 高度兼容，更在保護機制、電氣特性與設計適配性上實現優化，為工程師提供了高性價比的國產替代新選擇。今天，我們就從參數對比、性能優勢、設計指南與應用場景四個維度，全面解析這款 “國產強芯”。
    2025-08-27 688
  • 電子元器件價格進入低位區間，合科泰MOSFET助力解決工業控制挑戰

    電子元器件價格進入低位區間，合科泰MOSFET助力解決工業控制挑戰

    深圳華強等頭部渠道商最新監測數據顯示，2025年二季度以來，MOSFET等核心電子元器件價格已進入近三年低位區間，主流型號均價較2023年峰值下降35%-40%，庫存周轉天數回落至60天以內的健康水平。這一趨勢為工業控制企業優化供應鏈成本、實現國產替代提供了關鍵窗口期。合科泰MOSFET以“參數精準匹配+供應鏈可控+成本優化”三重優勢，為工業控制企業提供高可靠性的國產替代選項。
  • HT8731 內置自適應H類升壓和防破音功能的10WD類及AB類音頻功率放大器

    HT8731 內置自適應H類升壓和防破音功能的10WD類及AB類音頻功率放大器

    HT8731是一款內置自適應H類升壓的單聲道D類音頻功率放大器，由鋰電池供電時，THD+N<1%、20-20kHz全頻段信號條件下，能連續輸出6W功率(4Ω負載);另外，其還支持AB類模式。 HT8731內置的H類升壓，提供8.0V最大輸出電壓。其小音樂信號時不升壓,僅當功率較大時，提供一個適應輸出功率的電壓給D類功放，其可大幅提高系統效率，延長電池續航時間 HT8731的最大特點是防削頂失真(ACF)輸出控制功能，可檢測并抑制由于輸入音樂、語音信號幅度過大所引起的輸出信號削頂失真(破音)，也能自適應地防止在BOOST升壓電壓下降所造成的輸出削頂，顯著提高音質，創造非常舒適的聽音享受，并保護揚聲器免受過載損壞。HT8731提供兩種不同音樂體驗的ACF模式以及ACF-Of 模式。
  • HT81293 18W內置升壓單聲道D類音頻功放

    HT81293 18W內置升壓單聲道D類音頻功放

    HT81293是一款內置升壓的單聲道D類音頻功率放大器，由鋰電池供電時，THD+N=10%,能連續輸出18W功率(42負載)。HT81293A內置可動態調節的升壓，可以提供一個適應不同輸出功率的電壓給D類功放，其可大幅提高系統效率，延長電池續航時間。HT81293F則內置固定升壓，提供一個固定9V或12V的升壓給D類功放。HT81293可配置升壓限流值，以防止過大的電流尖峰。
  • JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片

    JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片

    在功率電子領域，驅動芯片是連接控制信號與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的效率、可靠性與穩定性。今天要為大家介紹的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率預驅動芯片 —— 一款專為高壓、高速場景設計的 1.5A/250V 三相高同低反邏輯芯片，憑借單芯片集成、寬適配性、強防護等優勢，已成為電機控制、逆變器等領域的優選方案。
  • JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片

    JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片

    在功率電子領域，驅動芯片是連接控制信號與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的效率、可靠性與穩定性。今天要為大家介紹的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率預驅動芯片 —— 一款專為高壓、高速場景設計的 1.5A/250V 三相高同低反邏輯芯片，憑借單芯片集成、寬適配性、強防護等優勢，已成為電機控制、逆變器等領域的優選方案。
  • HT6873 6W高保真超低EMI防削頂單聲道D類音頻功率放大器

    HT6873 6W高保真超低EMI防削頂單聲道D類音頻功率放大器

    HT6873是一款高保真超低EMI的，具有防削頂失真功能的單聲道免濾波D類音頻功率放大器，在5V電源，10%THD+N，4Q負載條件下輸出3.5W高功率，在各類音頻終端應用中維持高效率并提供AB類放大器高保真、低噪聲的性能。AROC輻射和傳導干擾抑制電路使HT6873具有優異的全帶寬低輻射性能，在不加輔助濾波設計、輸出喇叭線長20cm時的輻射水平遠在FCC Part15 Class B 標準之下。
  • HT6872 4.7W防削頂單聲道D類音頻功率放大器

    HT6872 4.7W防削頂單聲道D類音頻功率放大器

    HT6872是一款低EMI的，防削頂失真的，單聲道免濾波D類音頻功率放大器。在6.5V電源，10%THD+N，4Q負載條件下，輸出4.7W功率，在各類音頻終端應用中維持高效率并提供AB類放大器的性能。 HT6872的最大特點是防削頂失真(ACF)輸出控制功能，可檢測并抑制由于輸入音樂、語音信號幅度過大所引起的輸出信號削頂失真(破音)，也能自適應地防止在電池應用中由電源電壓下降所造成的輸出削頂,顯著提高音質，創造非常舒適的聽音享受，并保護揚聲器免受過載損壞。同時芯片具有ACF-Off模式。 HT6872具有獨有的電磁輻射(EMI)抑制技術和優異的全帶寬低輻射性能，輻射水平在不加任何輔助設計時仍遠在FCC Pant15 Class B 標準之下，不僅避免了干擾其他敏感電路還降低了系統設計難度。 HT6872內部集成免濾波器數字調制技術，能夠直接驅動揚聲器，并最大程度減小脈沖輸出信號的失真和噪音。輸出無需濾波網絡，極少的外部元器件節省了系統空間和成本，是便攜式應用的理想選擇 此外，HT6872內置的關斷功能使待機電流最小化，還集成了輸出端過流保護、片內過溫保護和電源欠壓異常保護等功能。
  • HT6881 4.7W防削頂單聲道音頻功率放大器

    HT6881 4.7W防削頂單聲道音頻功率放大器

    HT6881是一款低EMI的，防削頂失真的，單聲道免濾波D類音頻功率放大器。在6.5V電源，10%THD+N，4Q負載條件下，輸出4.7W功率，在各類音頻終端應用中維持高效率并提供AB類放大器的性能。 HT6881的最大特點是防削頂失真(ACF)輸出控制功能，可檢測并抑制由于輸入音樂、語音信號幅度過大所引起的輸出信號削頂失真(破音)，也能自適應地防止在電池應用中由電源電壓下降所造成的輸出削頂,顯著提高音質，創造非常舒適的聽音享受并保護揚聲器免受過載損壞。同時芯片具有ACF-Of模式。 HT6881具有獨有的電磁輻射(EMI)抑制技術和優異的全帶寬低輻射性能，輻射水平在不加任何輔助設計時仍遠在FCC Part15 Class B 標準之下，不僅避免了干擾其他敏感電路還降低了系統設計難度。其還能切換至AB類模式，以徹底消除電磁輻射。 HT6881內部集成免濾波器數字調制技術，能夠直接驅動揚聲器，并最大程度減小脈沖輸出信號的失真和噪音。輸出無需濾波網絡，極少的外部元器件節省了系統空間和成本，是便攜式應用的理想選擇。 此外，HT6881內置的關斷功能使待機電流最小化，還集成了輸出端過流保護、片內過溫保護和電源欠壓異常保護等功能。
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