SC6D10170H-JSM 碳化硅肖特基二極管
在新能源、工業控制等高端電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借高效、耐高溫、高頻的核心優勢，成為提升系統性能的關鍵器件。杰盛微半導體深耕寬禁帶半導體領域，重磅推出SC6D10170H碳化硅肖特基二極管，精準對標行業標桿型號C4D1017OH，在電氣性能、可靠性、應用適配性等方面實現全面突破，為各類高要求電力電子設備注入強勁動力！
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JSM741 差動霍爾速度傳感器
在汽車產業電動化、智能化的浪潮下，車載傳感器作為車輛的“感知神經”，是保障行車安全、實現智能控制的核心基礎。其中，車輪速度傳感器作為ABS、ESP、自動變速器等關鍵系統的核心元器件，需在高低溫、強電磁干擾、劇烈振動等嚴苛車載環境中，持續穩定輸出精準的轉速數據，技術門檻與可靠性要求極高。杰盛微深耕車載半導體領域，憑借自主研發實力與多年技術沉淀，推出JSM741差動霍爾速度傳感器芯片，全面對標TLE4941，在核心性能、技術架構、應用適配等方面實現精準匹配，更結合本土產業需求完成創新升級，以國產芯硬實力為汽車電子行業提供高性能、高可靠性、高性價比的無縫替代解決方案，推動車載核心傳感器的國產化替代進程。 -
單片機芯片怎么選？從參數到場景，一文讀懂選型秘籍！
選單片機，核心是 “需求 - 參數 - 場景” 精準匹配：成本敏感就盯 8 位低價芯片，工業場景優先可靠性，電池供電死磕低功耗。跟著這篇攻略走，從參數到場景全吃透，再也不用為選型發愁！ -
IAR攜手極海半導體，高效開發全球首款基于Cortex－M52的G32R501實時控制MCU，賦能中國嵌入式創新
全球領先的嵌入式開發工具供應商IAR與中國知名MCU供應商極海半導體聯合正式宣布，IAR Embedded Workbench for Arm的最新版本現已全面支持極海G32R501系列實時控制MCU。G32R501是全球首款基于Arm? Cortex?-M52處理器雙核架構的實時控制MCU，支持Arm Helium?矢量擴展（M-profile Vector Extension, MVE）和極海自研的紫電數學指令擴展單元等創新特性，可廣泛適用于新能源光伏、工業自動化、新能源汽車、商業電源等高端應用領域。 -
JSM9N20D 200V N 溝道 MOSFET
在新能源、工業控制、消費電子等領域飛速發展的當下，功率器件作為電路核心“動力樞紐”，其性能上限直接決定了終端產品的能效、穩定性與使用壽命。杰盛微半導體深耕功率器件研發與制造多年，始終以技術創新為核心驅動力，今日正式推出200V N溝道MOSFET——JSM9N20D。這款凝聚了杰盛微核心技術的產品，憑借快速開關、高可靠性、優異熱性能等多重優勢，專為開關模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）、功率因數校正（PFC）等關鍵場景量身打造，為電力電子行業提供高性能、高性價比的解決方案。 -
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JSM9N20C 200V N 溝道 MOSFET
在電力電子技術日新月異的當下，MOSFET作為承載能量轉換與電路控制的核心功率器件，其性能表現直接決定了終端產品的能效水平、運行穩定性與使用壽命。從工業自動化生產線的核心控制單元，到消費電子的高效電源適配器；從新能源領域的小型逆變器，到汽車電子中的電機驅動系統，高壓MOSFET的品質與可靠性始終是行業創新發展的關鍵支撐。 -
JSM9N20F 200V N 溝道 MOSFET
在新能源、工業控制、汽車電子等領域高速發展的今天，功率半導體器件作為能量轉換與電路控制的核心，其性能直接決定了終端設備的能效、可靠性與市場競爭力。杰盛微半導體（JSMSEMI）深耕功率器件賽道多年，以技術創新為內核，重磅推出JSM9N20F 200V N溝道MOSFET。這款凝聚了杰盛微核心研發實力的旗艦級產品，憑借全維度均衡的性能表現，為多場景電力電子應用提供一站式解決方案，重新定義中高壓MOSFET的性能標桿。 -
JSM401F 耐高壓雙極鎖存霍爾芯片
在汽車電子、工業控制、智能硬件等核心領域，霍爾芯片作為“傳感核心”，其性能直接決定設備的穩定性、使用壽命與運行精度。長期以來，SS41F憑借成熟的市場應用成為雙極鎖存霍爾芯片的“參考標桿”，但進口芯片的供貨周期波動、成本居高不下等問題，始終困擾著國內制造企業。如今，杰盛微自主研發的JSM401F耐高壓雙極鎖存霍爾芯片橫空出世！不僅在核心參數上全面對標SS41F，更在耐高壓、抗干擾、溫度適配等關鍵性能上實現突破，以“國產芯”的硬核實力，為行業提供更穩定、高性價比的傳感解決方案，重新定義工業級霍爾芯片的性能天花板。 -
JSM402H高壓雙極鎖存/高靈敏度霍爾芯片
在消費電子、汽車電子與工業控制領域，霍爾傳感器作為磁場檢測的核心器件，其性能直接決定了終端產品的穩定性與可靠性。提及行業經典型號SS360，其雙極鎖特性與廣泛適配性早已深入人心。
