在AI算力快速崛起的行業背景下，近期，三星、鎧俠兩大行業頭部廠商陸續發布產能優化計劃，將逐步停止MLC NAND閃存產品的生產與供應。

MLC NAND作為傳統平面式2D閃存的核心品類，憑借其高耐久度、長數據保存周期及穩定的環境適應性等核心優勢，長期應用于工業控制、醫療設備、車載電子、老舊嵌入式系統等對存儲可靠性要求嚴苛的利基領域，是上述小眾剛需市場的核心存儲元器件。但該類產品以低容量規格為主，單位晶圓產值及利潤率處于較低水平，在當前存儲行業的競爭格局中，已逐漸成為頭部廠商的低效產能，面臨被優化出清的局面。

從廠商具體落地舉措來看，三星率先啟動MLC NAND產能清退工作。2026年3月，三星正式關停韓國華城最后一座2D NAND專屬產線，該產線月產能達8-10萬片晶圓，后續將全面改造為適配AI領域需求的高端DRAM后端制造基地。與此同時，三星已向全球客戶正式下發MLC NAND停產通知，計劃于2026年6月完成最后一批次產品出貨，實現該品類全面停供，此舉將直接導致全球2D NAND整體產能縮減約20%。

緊隨三星之后，鎧俠也于今年3月正式官宣MLC NAND退出計劃，停產范圍涵蓋2D NAND、第三代BiCS Flash及TSOP封裝低容量MLC全系列產品，并明確分階段退出節奏，確保供應鏈平穩過渡。具體來看，鎧俠設定的退出節點為：2026年5月30日截止客戶采購預測提交，9月30日停止接收新訂單；2027年3月15日前完成TSOP封裝MLC產品全部出貨，2028年12月31日前實現全系列2D/MLC NAND最終交付，2029年全面退出該領域。

分析認為，存儲巨頭集中退出MLC NAND市場，背后是行業發展規律與企業戰略布局的三重核心驅動，同時也契合全球存儲產業的轉型趨勢。

其一，AI算力需求爆發擠壓產能資源，高毛利產品成為核心布局方向。當前全球數據中心、AI服務器需求呈爆發式增長，HBM、高端3D TLC/QLC NAND、企業級大容量存儲已成為廠商利潤核心，有限的潔凈室、晶圓等產能資源優先向高附加值領域傾斜，MLC NAND作為低效產能被主動出清。

其二，3D堆疊技術全面迭代，傳統2D MLC NAND喪失規?；瘍r值。目前鎧俠332層、三星286層等高堆疊3D NAND技術日趨成熟，TLC、QLC閃存兼顧大容量與成本優勢，成為市場主流；而2D MLC NAND存儲密度低，無法適配主流需求，規模化性價比持續下滑。

其三，市場規模局限導致大廠量產缺乏經濟性。MLC NAND需求集中于工控、醫療、軍工等小眾利基領域，市場體量有限，難以覆蓋頭部廠商產線運營成本，產能收縮成為最優選擇。此外，美光、SK海力士也在同步關停2D NAND老舊產線，全球MLC供給收縮已成行業共識。

據TrendForce數據顯示，2026年全球MLC NAND產能同比縮減超41.7%，后續供給量將持續下滑，且國際主流廠商均無擴產計劃，供需缺口將持續擴大。

受此影響，價格端方面，現貨市場已出現劇烈波動，部分MLC NAND型號價格漲幅超300%；工控、醫療等下游廠商為保障供應鏈穩定，啟動恐慌性囤貨，低容量eMMC、TSOP-MLC合約價在2025年Q4至2026年Q1期間漲幅達150%。

供應鏈方面，由于TLC、QLC閃存的耐久度、數據保存周期無法替代MLC NAND，下游專用設備廠商面臨長期供貨不確定性，部分老舊設備甚至面臨斷供風險。

在國際頭部廠商主動退出利基市場的背景下，多家國產及臺系存儲廠商已成為承接工控、車規、安防等領域MLC NAND訂單的核心力量。國內廠商依托成熟的生產制程、完善的本土化供應鏈服務體系，能夠快速填補國際廠商退出后形成的市場空缺，MLC、SLC等利基型存儲產品迎來市場放量的關鍵窗口期，國產存儲芯片在細分高端利基賽道的市場話語權有望得到持續提升。