SK海力士HBM混合鍵合良率取得突破，但成本挑戰仍存

據韓媒thelec最新報道，在4月28日于首爾舉行的一場半導體會議上，SK海力士技術負責人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，公司應用于HBM的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術良率較兩年前已顯著提升，12層堆疊產品的驗證工作已經完成，目前正致力于提升大規模生產的產量。

隨著HBM技術的演進，堆疊層數不斷增加，工藝復雜性也急劇上升，從而推動了封裝技術的持續創新。HBM封裝技術已從采用非導電薄膜的熱壓成型（TC-NCF）發展到磁阻混合薄膜（MR-MUF），最終邁向混合粘合。每一步都有效減少了翹曲變形，提高了生產效率。

混合鍵合被視為下一代HBM封裝的重要技術。與目前主流的、依賴微米級金屬凸塊（Bump）進行連接的熱壓鍵合（TC-NCF）及大規?；亓髯⑺艿撞刻畛洌∕R-MUF）技術不同，混合鍵合是一種“無凸點”技術。它通過原子級別的工藝，直接將上下兩層芯片的銅（Cu）焊盤進行連接。

業內人士預計，混合鍵合技術將從HBM4開始引入。隨著16層HBM產品進入商業化階段，這項技術可能會從今年下半年或明年開始逐步部署。

金鐘勛在會議上表示，雖然無法透露具體數字，但混合鍵合技術“比過去準備得更加充分”。他表示，與現有方法相比，混合鍵合技術能夠實現更精細的互連間距。作為當前HBM市場的霸主，SK海力士市占率超過70%，其技術路線的選擇對整個行業具有風向標意義。

盡管技術前景廣闊，但SK海力士也清醒地認識到，從實驗室走向大規模量產仍面臨嚴峻挑戰，其中最大的障礙便是成本。金鐘勛明確指出：“不僅技術戰略很重要，價值也很重要?！痹诋斍鞍l展階段，混合鍵合的經濟可行性仍然是一個主要障礙。

為此，SK海力士采取了務實且靈活的“雙軌”策略。一方面，公司將繼續深耕并優化其現有的MR-MUF技術。目前，SK海力士已具備使用MR-MUF工藝生產高達16層HBM3E產品的能力，并能滿足客戶對封裝高度的要求。MR-MUF技術通過在熱壓鍵合過程中引入特殊的保護材料，有效緩解了芯片翹曲和損壞問題，是目前兼顧性能與成本的成熟方案。

另一方面，公司并未放慢對混合鍵合的研發與導入步伐。行業普遍預測，混合鍵合技術將從HBM4代產品開始引入，并可能在2027年（明年）逐步實現商業化部署。SK海力士的良率提升，正是為這一代際切換做技術儲備，以確保在下一代技術競爭中不落下風。