臺積電公布最新路線圖：A12、A13、N2U工藝技術發布，2029年之前不使用High-NA EUV

臺積電（TSMC）周三（4月22日）在其2026年北美技術研討會上公布了截至2029年的通用制造技術路線圖。此次發布的重點包括：1.2nm和1.3nm級制程（分別命名為A12和A13）、對N2家族的意外延伸N2U，以及在2029年前不計劃采用High-NA EUV光刻技術。或許最值得關注的是，公司進一步明確了多路徑并行推進新節點開發的策略。

“去年我們發布了A14，作為最先進的第二代納米片（nanosheet）技術，計劃于2028年投產，”臺積電業務發展與全球銷售高級副總裁兼副COO Kevin Zhang表示。

“今年我們推出了A14的衍生版本，包括A13和A12，均計劃在2029年投產。A13是在A14基礎上的漸進式優化，主要通過光學縮放實現，在保持完整設計規則和電氣兼容性的同時，實現約6%的面積縮減，使客戶僅需極少重新設計即可受益。”

改變游戲規則

歷史上，臺積電的大部分收入來自智能手機行業，但近年來，AI和HPC（高性能計算）已反超手機業務。這一變化清晰體現在其路線圖中：臺積電將先進制程按終端市場需求進行“分軌”規劃，而非“一刀切”。具體來說，公司將繼續每年為客戶端應用推出一個新節點，同時每兩年為重負載的AI和HPC應用推出一個新節點。

一方面，N2、N2P、N2U、A14、A13等制程主要面向智能手機和客戶端設備——這些市場更看重成本、能效和IP復用，對設計兼容性要求高，可以接受漸進式改進，只要能保持每年一個新節點的節奏。

另一方面，A16和A12等面向AI和HPC的節點，則必須提供顯著性能提升以支撐技術遷移，成本相對不那么敏感。這類節點引入了Super Power Rail（SPR）背面供電技術，以解決AI數據中心和HPC負載的供電完整性和電流輸送問題，并在性能、功耗和晶體管密度方面帶來實質性提升，但更新節奏為兩年一次。

A13與N2U：面向客戶端的新節點

去年臺積電推出了A14制程，基于第二代GAA納米片晶體管，并通過NanoFlex Pro技術提供更高設計靈活性，預計將于2028年用于高端智能手機和客戶端芯片。今年發布的A13則是在A14基礎上的延續。

A13是A14的“光學縮版”，以最小擾動換取額外效率提升。其線性尺寸縮小約3%（約為原來的97%），帶來約6%的晶體管密度提升，同時保持與A14完全一致的設計規則和電氣兼容性。從某種意義上看，這延續了臺積電以往通過光學縮放優化制程的傳統（如N12、N6、N4、N3P），盡管此次提升幅度相對有限。這種方式使客戶可以幾乎無需重新設計即可復用IP，但性能提升也相對漸進。

A14本身可在功耗、性能和密度上實現全面提升，但需要全新的工具、IP和設計方法；相比之下，A13通過DTCO（設計-技術協同優化）實現增益，無需更改設計即可獲得改進，預計于2029年量產。

此外，臺積電還將推出N2U，為客戶提供低成本升級路徑。N2U是N2平臺的第三年延伸版本，通過DTCO可實現：同功耗下性能提升約3%–4%，或同速度下降低功耗約8%–10%，并帶來約2%–3%的邏輯密度提升。該節點與N2P IP兼容，使客戶無需遷移到全新制程即可開發新產品，避免高昂成本。

例如，如果某公司在2027年基于N2P開發高端產品IP，那么可以在2028年利用N2U打造中端產品。

Zhang表示：“我們通過N2U持續擴展2nm平臺，通過DTCO提升性能、功耗和密度。我們的策略是在節點推出后持續優化，讓客戶在獲得漸進式PPA收益的同時，最大化設計投資回報。”

A16、A12與N2X：不惜成本追求極致性能

雖然N2將同時用于客戶端和數據中心，臺積電還在推進A16，該節點引入SPR背面供電，專為高性能數據中心應用打造。本質上，A16可視為帶SPR的N2P，采用第一代GAA納米片晶體管，在性能、功耗和密度方面優于N2/N2P，但成本更高。

值得注意的是，A16目前被列為2027年節點（相較此前2026年略有延后）。

Zhang解釋稱：“A16將在2026年具備量產準備，但實際產品放量取決于客戶，我們預計在2027年進入規模生產，因此按該時間表對齊。”

同時，A16并不會取代N2X。N2X是N2P的高性能版本，采用傳統正面供電，用于將頻率推至極限。

A16之后，將由A12接棒（預計2029年推出），為數據中心級節點帶來完整世代升級。雖然臺積電未披露具體數據，但預計A12相對A16的提升，類似于A14相對N2的躍升——其將基于第二代GAA納米片晶體管與NanoFlex Pro技術。

“ A16是我們首個采用SPR背面供電的技術，”Zhang表示，“A12將是下一代，在正面和背面同時持續縮放，以實現整體密度提升。”

High-NA EUV暫無計劃

一個值得注意的點是，臺積電2029年的A13和A12制程均不需要High-NA EUV光刻設備。這與英特爾的路線形成鮮明對比，后者計劃從2027–2028年的14A節點開始采用High-NA EUV。

“我對我們的研發團隊感到非常驚訝，”Zhang表示，“他們不斷找到在不使用High-NA的情況下推進技術縮放的方法。未來某一天可能會用到，但目前我們仍能從現有EUV中獲得收益，無需轉向成本極高的High-NA。”（校對/李梅）