國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布最新報(bào)告顯示，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額達(dá)到1351億美元，較2024年的1171億美元增長15%，連續(xù)第三年創(chuàng)下歷史新高。這一數(shù)據(jù)較SEMI此前預(yù)測的1330億美元上修了約1.6%，主要得益于人工智能（AI）需求在2025年第四季度末仍保持超預(yù)期增長。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年創(chuàng)紀(jì)錄的半導(dǎo)體設(shè)備賬單達(dá)到1350億美元，凸顯了隨著人工智能加速對前沿邏輯、先進(jìn)內(nèi)存和高帶寬架構(gòu)需求的推動，行業(yè)建設(shè)的規(guī)模和緊迫性?！?/span>

2025年，全球前端半導(dǎo)體設(shè)備市場實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長，晶圓加工設(shè)備銷售額同比增長12%。但更引人注目的是后端設(shè)備的爆發(fā)式增長。受益于AI熱潮對高端GPU、HPC芯片及定制AI ASIC芯片的需求，芯片封裝向更大面積、更高頻高速、更高功率與更多晶粒整合發(fā)展，推動了CoWoS、SoIC等先進(jìn)封裝技術(shù)和測試需求的持續(xù)擴(kuò)大。

SEMI報(bào)告顯示，2025年組裝和封裝設(shè)備銷售額增長了21%，而測試設(shè)備銷售額更是同比激增55%，遠(yuǎn)超此前預(yù)測的48.1%。這一增速表明，AI芯片和高帶寬內(nèi)存（HBM）的測試復(fù)雜度提升速度比行業(yè)預(yù)判更為迅猛。以英偉達(dá)Rubin GPU為例，其采用CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)，將GPU芯片與8個HBM3E堆疊集成，對封裝精度和測試覆蓋率提出了前所未有的要求。

從區(qū)域表現(xiàn)看，2025年半導(dǎo)體設(shè)備支出仍高度集中在亞洲，中國大陸、中國臺灣和韓國合計(jì)占全球市場的79%，較2024年的74%進(jìn)一步提升。

中國大陸：以493億美元的支出額連續(xù)六年位居全球第一，盡管同比微降0.5%，但仍接近歷史高位。中國大陸芯片制造商繼續(xù)投資成熟節(jié)點(diǎn)并選擇性布局先進(jìn)產(chǎn)能。

中國臺灣：受益于AI和高性能計(jì)算驅(qū)動的產(chǎn)能擴(kuò)張，設(shè)備支出同比大漲90%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的315億美元，三年來首次超越韓國成為全球第二大市場。

韓國：受HBM和DRAM投資強(qiáng)勁拉動，設(shè)備支出同比增長26%，達(dá)到258億美元。

日本：得益于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造業(yè)的持續(xù)投資，設(shè)備支出同比增長22%，達(dá)到95億美元。

相比之下，北美市場因早期產(chǎn)能擴(kuò)張后支出放緩，同比下降20%至109億美元；歐洲市場受汽車和工業(yè)需求疲軟影響，同比大跌41%至29億美元，連續(xù)第二年收縮。

SEMI預(yù)測，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將在2026年和2027年繼續(xù)增長，分別達(dá)到1450億美元和1560億美元，連續(xù)三年刷新歷史紀(jì)錄。其增長的核心驅(qū)動力主要在于：

一是先進(jìn)制程競賽：臺積電、三星、英特爾在2nm及以下節(jié)點(diǎn)的資本開支競賽；

二是HBM產(chǎn)能擴(kuò)張：三星、SK海力士、美光均計(jì)劃在2026年大幅擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)線；

三是先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺：臺積電CoWoS、三星I-Cube等封裝技術(shù)的產(chǎn)能擴(kuò)張將帶動相關(guān)設(shè)備需求。

當(dāng)然，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也面臨潛在風(fēng)險(xiǎn)。一方面，美國擬推出的《硬件技術(shù)控制多邊協(xié)調(diào)法案》（MATCH Act）若通過，可能進(jìn)一步限制對華先進(jìn)設(shè)備出口，影響全球設(shè)備供應(yīng)鏈；另一方滿，AI投資若出現(xiàn)階段性降溫，也可能導(dǎo)致設(shè)備訂單波動。