三星泰勒晶圓廠啟動2nm試產

三星3nm以下制程擴張計劃進展順利，其2nm GAA良率預計達到60%，這讓這家韓國晶圓代工廠信心十足，得以在其美國泰勒工廠進行下一代光刻技術的試生產。該工廠最初是為4nm晶圓制造而建，此前有報道稱，三星已將其海外工廠改造為2nm制程中心，使其在與臺積電的競爭中占據優勢。當前，臺積電限制其最先進2nm技術進入美國市場。

據報道，三星泰勒工廠的部分區域已獲得臨時占用許可證（TCO），允許專業工程師進駐現場并加快生產運營。此前有報道稱，測試生產于3月啟動，屆時有超過7000名員工駐守現場，助力公司實現計劃。據悉，為大規模生產2nm GAA晶圓提供先進EUV光刻機的荷蘭制造商ASML也已派出團隊協助三星工人進行設備部署。

假設試生產成功，泰勒工廠將于2026年開始運營，預計將于2027年全面投產。三星計劃將泰勒工廠升級至2nm GAA工藝，該工藝在技術改進方面遠勝于傳統的4nm光刻技術。三星也利用這項技術生產Exynos 2600處理器。目前，三星的2nm GAA工藝在美國擁有眾多客戶，其中特斯拉是其最主要的客戶。

此外，三星還獲得了來自美國無晶圓廠公司和云服務提供商的芯片訂單，進一步鞏固了其在美國市場的地位。由于臺積電的3nm產能受到嚴重限制，其無法滿足市場需求，這使得三星成為眾多客戶的替代方案。三星計劃通過專注于提高良率來降低晶圓成本，并或在不久的將來通過向客戶提供折扣價進一步增強與臺積電的競爭。