據(jù)報道，鎧俠（Kioxia）已通知客戶，計劃停止生產(chǎn)其2D NAND和第三代BiCS 3D NAND閃存。值得關(guān)注的是，鎧俠此次將終結(jié)平面NAND閃存的生產(chǎn)。

平面NAND閃存是3D NAND閃存的前身，自20世紀(jì)80年代以來一直在生產(chǎn)。

鎧俠正在停產(chǎn)一系列傳統(tǒng)NAND產(chǎn)品，包括基于32nm（SLC，自2009年開始量產(chǎn)）、24nm（MLC，自2010年開始量產(chǎn)）和15nm（MLC和TLC，自2014年開始量產(chǎn)）工藝節(jié)點(diǎn)的平面浮柵NAND，以及早期64層BiCS3 3D NAND（約于2017年發(fā)布）。此次停產(chǎn)涵蓋所有主要單元類型——SLC、MLC和TLC并幾乎涵蓋所有交付形式，包括裸晶圓和封裝解決方案，例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡。這表明鎧俠將全面淘汰舊技術(shù)平臺，而非僅淘汰部分SKU。

此次產(chǎn)品停產(chǎn)遵循標(biāo)準(zhǔn)的多年期EOL（產(chǎn)品生命周期結(jié)束）計劃：最后購買訂單將持續(xù)接受至2026年9月30日，最終出貨將持續(xù)至2028年12月31日，距今約三年。此后，這些產(chǎn)品將徹底停產(chǎn)，這也標(biāo)志著鎧俠將退出傳統(tǒng)的平面NAND和早期BiCS工藝，轉(zhuǎn)而投身更先進(jìn)的3D NAND工藝。

與此同時，鎧俠停止生產(chǎn)2D NAND也將標(biāo)志著平面NAND存儲器的終結(jié)，這種類型的存儲器最早于1987年左右在東芝投入生產(chǎn)，并將于41年后，也就是2028年，由其繼任者鎧俠停止生產(chǎn)。

如今，2D NAND主要用于傳統(tǒng)設(shè)備，包括汽車、消費(fèi)電子、嵌入式和工業(yè)應(yīng)用，以及一些具有較長生命周期的專用存儲設(shè)備。（校對/李梅）