全球AI浪潮推動存儲需求爆發(fā)，韓國兩大存儲巨頭三星電子與SK海力士也同步加大了中國核心生產(chǎn)基地投資，希望通過合計(jì)超1.5萬億韓元(約78億元人民幣)的投資，提升工藝，優(yōu)化產(chǎn)能，鞏固企業(yè)全球優(yōu)勢的同時(shí)，也對接中國高端存儲的需求。

三星電子將投資重點(diǎn)放在西安工廠——其唯一海外NAND生產(chǎn)基地，承擔(dān)三星全球NAND產(chǎn)能的40%以上，也是全球單個(gè)產(chǎn)能最高的NAND閃存工廠。據(jù)韓國金融監(jiān)督院近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年重啟對華投資后，三星投入持續(xù)加碼，2025年向西安工廠投資4654億韓元（約21.4億元人民幣），較上年的2778億韓元同比增長67.5%。

此次投資核心是推進(jìn)工藝迭代，將主力制程從128層（第六代）NAND升級至236層（第八代）NAND，同時(shí)啟動X2產(chǎn)線向280層V9 NAND轉(zhuǎn)換，計(jì)劃2026年二季度落地。得益于2026年美國商務(wù)部設(shè)備進(jìn)口年度許可，三星有效規(guī)避審批風(fēng)險(xiǎn)，升級后西安工廠將聚焦AI服務(wù)器、企業(yè)級SSD等高附加值產(chǎn)品，成為其全球高端NAND核心基地。

SK海力士采取無錫DRAM、大連NAND雙基地并行升級策略，2025年對華投資超1萬億韓元，為2022年收購英特爾大連工廠后首次萬億級大規(guī)模投入。其中，無錫工廠獲5810億韓元投資，同比增長102%，已完成1z工藝（第三代10nm級）向1a工藝（第四代）升級，90%產(chǎn)能完成轉(zhuǎn)換，可量產(chǎn)DDR5、LPDDR5X等高規(guī)格產(chǎn)品，該工廠承擔(dān)SK海力士全球30%至40%的DRAM產(chǎn)能，升級后成為高端DRAM核心基地，優(yōu)先保障AI數(shù)據(jù)中心需求。

大連NAND工廠投資4406億韓元，增長52%，新增資金主要用于產(chǎn)能升級與技術(shù)研發(fā)，聚焦高端存儲芯片生產(chǎn)以匹配AI、數(shù)據(jù)中心需求，正推進(jìn)321層第九代NAND產(chǎn)線轉(zhuǎn)換。針對EUV設(shè)備限制，SK海力士采用“分段制造”策略，將關(guān)鍵光刻步驟放在韓國本土完成，再將晶圓運(yùn)回?zé)o錫進(jìn)行后續(xù)工序，破解技術(shù)管制難題。

雙巨頭加碼中國工廠，核心驅(qū)動力源于AI技術(shù)演進(jìn)推動高性能存儲需求激增，2026年全球DRAM與NAND計(jì)劃產(chǎn)量近乎售罄。中國作為全球最大存儲芯片消費(fèi)市場，2025年規(guī)模達(dá)4580億元人民幣，同比增長7.3%，AI基礎(chǔ)設(shè)施投資持續(xù)加碼，供需缺口顯著。

瑞銀證券預(yù)測，2026年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將同比增長超40%至1萬億美元，這一增長主要受存儲漲價(jià)驅(qū)動，中國市場潛力成為巨頭布局的重要支撐。

戰(zhàn)略層面，業(yè)內(nèi)人士指出，出于保護(hù)核心技術(shù)的考慮，海外工廠工藝通常較韓國本土落后約兩代，但此次兩大巨頭直接切入第八代、第九代先進(jìn)制程，既規(guī)避本土擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)，又能快速響應(yīng)亞太市場需求。同時(shí)，中國擁有完整半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，可實(shí)現(xiàn)“本地化生產(chǎn)供應(yīng)”，縮短交付周期，疊加產(chǎn)業(yè)扶持政策，為投資提供穩(wěn)定預(yù)期。

展望未來，2026年二季度將是投資關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，三星西安X2產(chǎn)線、SK海力士先進(jìn)NAND產(chǎn)線轉(zhuǎn)換將逐步落地，全年持續(xù)推進(jìn)設(shè)備導(dǎo)入與產(chǎn)能爬坡。在AI浪潮與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)驅(qū)動下，兩大巨頭的中國布局，將推動中國成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要增長引擎與創(chuàng)新中心。