三星2nm工藝HBM5研發中，并代工生產4nm英偉達Groq 3 LPU

三星電子確認正在開發其第八代高帶寬內存HBM5，該內存采用2nm工藝制造，應用于基礎芯片。對于第九代 HBM5E，該公司計劃在核心芯片上預先應用基于1d（第七代10nm級）工藝的DRAM。

此外，英偉達的新型人工智能（AI）推理專用芯片Groq 3 LPU（語言處理單元）已委托三星晶圓代工，并采用4nm工藝生產。三星晶圓代工事業部總裁兼三星晶圓代工負責人Han Jin-man對穩定的供貨充滿信心，并表示：“我們的4nm工藝技術絕不遜色。”

三星電子半導體解決方案（DS）事業部存儲器開發執行副總裁Hwang Sang-joon和總裁Han Jin-man于3月16日（當地時間）在美國加州圣何塞舉行的GTC 2026大會上，在三星電子展位上發表了上述講話。

三星電子半導體事業部的關鍵高管親臨由英偉達主辦的GTC大會現場，講解產品并參與公開活動，實屬罕見。

首先，在談到關于下一代HBM所采用的工藝技術的問題時，Hwang Sang-joon執行副總裁表示：“HBM5的核心芯片采用1c（第六代10nm級）工藝，但基礎芯片則采用三星晶圓代工的2nm工藝開發。”

三星計劃沿用第六代HBM4所采用的1c工藝，同時將更先進的2nm工藝應用于基礎芯片。

此前，三星電子搶先將領先于競爭對手的1c DRAM應用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圓代工的4nm工藝制造基片。基于此，該公司穩定實現了業界領先的性能，并于2月率先向英偉達供貨HBM4。

Hwang Sang-joon執行副總裁表示：“對于HBM5E，核心芯片將采用1d nm工藝，基片將采用三星晶圓代工的2nm工藝。”他補充道：“由于半導體性能將不斷提升，我們將繼續把領先的工藝應用于HBM5和HBM5E。”

總裁Han Jin-man自2024年以來首次出席GTC大會，并在三星電子展位親自介紹了公司的晶圓代工技術。

他重點介紹了“Groq 3 LPU”，這款產品在英偉達CEO黃仁勛于當天GTC 2026主題演講中提到“三星電子正在生產”后，引起了廣泛關注。

Han Jin-man表示：“我們目前正在平澤工廠使用4nm工藝生產Groq 3 LPU。”他還補充道：“今年的訂單量超出預期。”

他繼續說道：“三星的HBM4基礎芯片也是采用4nm工藝制造的，所以我認為未來對4nm工藝的需求將會顯著增長。”

關于英偉達委托三星晶圓代工生產Groq 3 LPU的背景，Han Jin-man表示：“早在2023年，也就是英偉達收購Groq之前，我們和Groq就已經開始合作。我們的工程師直接參與了項目，甚至協助了設計工作。”

他強調：“英偉達和Groq開始合作時，我們曾擔心他們會選擇不同的代工廠，但他們肯定評估過我們芯片的性能，并認為其潛力巨大。我們的4nm工藝絕不遜色。”

當被問及Groq 3 LPU何時開始貢獻收益時，他回答說：“量產將于第三季度末或第四季度初開始。我們需要觀察市場反應，但我相信明年對Groq 3 LPU的需求將大幅增長。”

與此同時，當天，Han Jin-man和Hwang Sang-joon在GTC會場與黃仁勛合影留念。在合影中，黃仁勛在Groq 3 LPU晶圓上親筆簽名并寫上“GROQ SUPER FAST”，在HBM4晶圓上寫下“AMAGING HBM4!”。這兩款產品均由三星代工。（校對/趙月）