消息稱LG電子正研發(fā)HBM混合鍵合設(shè)備原型機
2026-01-12
來源:愛集微
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據(jù)報道,LG電子正在研發(fā)一款用于高帶寬存儲器(HBM)的混合鍵合設(shè)備的原型機。
該項目得到了韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部的支持,Justem公司也參與其中,負責(zé)開發(fā)該套件的系統(tǒng)。
LG 電子生產(chǎn)工程研究所(PRI)于2025年6月啟動了該項目。韓國政府為該項目提供了75億韓元的資金,項目總預(yù)算為140億韓元。
消息人士稱,該項目目前處于概念驗證階段,LG電子正使用模塊和鍵合頭測試混合鍵合工藝。
該項目計劃于2029年前完成,目標(biāo)是達到200納米的精度。消息人士稱,這款鍵合機預(yù)計三年后在HBM領(lǐng)域推出時可能不具備競爭力,因此該團隊也在考慮將其應(yīng)用于邏輯芯片領(lǐng)域。(校對/李梅)
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